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AC/DC電源測(cè)試解決方案
電源行業(yè)是整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的能源基礎(chǔ)行業(yè)，隨著電力電子設(shè)備的多樣化及人們節(jié)能環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，電源市場(chǎng)也隨之繁榮活躍起來，競(jìng)爭(zhēng)預(yù)演愈烈。
2011-08-09
AC/DC 電源測(cè)試 數(shù)字萬用表 數(shù)字示波器
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系統(tǒng)DC電源的選擇影響著測(cè)試吞吐量
許多電子產(chǎn)品的自動(dòng)測(cè)試時(shí)間只有幾秒鐘，系統(tǒng)DC電源可能在這一時(shí)間中占相當(dāng)大的比重，因此在優(yōu)化測(cè)試吞吐量值得關(guān)注。但是，電源的判斷標(biāo)準(zhǔn)通常是價(jià)格和輸出功率，而不是其對(duì)測(cè)試吞吐量的影響。電源的輸出響應(yīng)速度、測(cè)量速度和特點(diǎn)都會(huì)影響測(cè)試吞吐量。許多電源可能會(huì)驚人的慢，因此盡管成本較低，...
2011-08-09
DC 吞吐量 測(cè)量 偏置電流
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車載逆變電源的設(shè)計(jì)案例
在一些交通運(yùn)載、野外測(cè)控、可移動(dòng)武器裝 備 、工程修理車等設(shè)備中都配有不同規(guī)格的電 源。通常這些設(shè)備工作空間狹小，環(huán)境惡劣，干擾 大。因此對(duì)電源的設(shè)計(jì)要求也很高，除了具有良好的電氣性能外，還必須具備體積小、重量輕、成本 低、可靠性高、抗干擾強(qiáng)等特點(diǎn)。
2011-08-09
電源 車載 逆變 變壓器
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高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案
電子鎮(zhèn)流器的供電方式為半橋輸出接穩(wěn)壓管給芯片供電，其輸出電壓為高壓正弦波（50～100 kHz），加之芯片內(nèi)數(shù)字部分的干擾，這就給芯片的電源帶來較大的干擾。因此對(duì)芯片內(nèi)基準(zhǔn)的中頻PSR（Power Supply Rejection，電源抑制）有較大要求。本文從此角度在Brokaw帶隙基準(zhǔn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，采用LDO與基...
2011-08-08
電子鎮(zhèn)流器 電源 LDO 基準(zhǔn)源
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常用LED驅(qū)動(dòng)MOSFET的選擇
LED驅(qū)動(dòng)MOSFET常用的是NMOS，原因是導(dǎo)通電阻小，應(yīng)用較為廣泛，也符合LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求。所以開關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。
2011-08-08
LED MOSFET LED驅(qū)動(dòng)
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全橋逆變電路在焊接電源中的應(yīng)用
本文設(shè)計(jì)了一種基于峰值電流控制模式的全橋移相諧振逆變弧焊電源。采用專用移相芯片UC3879作為主控單元，實(shí)現(xiàn)全橋變換器的移相控制和主開關(guān)器件的ZVS。配合一定的焊機(jī)外特性控制電路和峰值電流檢測(cè)技術(shù)，成功試制了一臺(tái)6kW/l00kHz的高頻逆變弧焊電源樣機(jī)，最后給出了相關(guān)電路圖和實(shí)驗(yàn)波形。
2011-08-08
全橋逆變電路 焊接電源 電焊機(jī)
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基于雙管正激的模塊電源設(shè)計(jì)
高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成為當(dāng)前模塊電源技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。雙管正激電路是實(shí)現(xiàn)這些要求的實(shí)用電路之一,被廣泛應(yīng)用在中、高功率電源設(shè)計(jì)中。本文簡(jiǎn)要介紹了雙管正激電路的工作原理及優(yōu)點(diǎn),同時(shí)詳細(xì)介紹了應(yīng)用于雙管正激電路的PWM控制器MAX5051的功能和具體的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
2011-08-08
模塊電源 變壓器 變換器 電源控制器
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TE推電動(dòng)汽車充電繼電器 滿足在線電壓下特殊需求
全球領(lǐng)先的精密工程電子元件供應(yīng)商TE Connectivity（TE），原Tyco Electronics，已開發(fā)出廣泛系列的繼電器產(chǎn)品，專門設(shè)計(jì)適用于電動(dòng)汽車充電站,并滿足在線電壓下的特殊需求。
2011-08-08
連接器 繼電器 電動(dòng)汽車 TE
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二極管泄漏電流以及MOSFET的亞閾區(qū)電流的測(cè)量
測(cè)試半導(dǎo)體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測(cè)量小電流。其中有些測(cè)試工作包括各種泄漏電流的測(cè)量。另一些對(duì)于晶圓片級(jí)半導(dǎo)體的弱電流測(cè)量則通常與介電材料（氧化物或化合物）的質(zhì)量有關(guān)。這些弱電流測(cè)量工作常常使用靜電計(jì)或源-測(cè)量單元。本文將介紹使用源-測(cè)量單元測(cè)量二極管的泄漏電流以及MOSF...
2011-08-08
二極管 泄漏電流 MOSFET 亞閾區(qū)電流
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