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H/HZ系列：Vishay新一代超高精度Bulk Metal?箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)
2010-01-08
Vishay 箔電阻 新標(biāo)準(zhǔn)
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試驗(yàn)設(shè)計(jì)的五個(gè)步驟
無(wú)論是在工程技術(shù)、質(zhì)量管理、產(chǎn)品研發(fā)等方面，還是在近來(lái)熱門(mén)的六西格瑪領(lǐng)域，試驗(yàn)設(shè)計(jì)DOE都是我們解決問(wèn)題的好幫手，其應(yīng)用可以說(shuō)涵蓋了包括機(jī)械、電子、化工、汽車(chē)、煙草、醫(yī)藥、食品、銀行、電信、物流等所有的行業(yè)。本文主要介紹試驗(yàn)設(shè)計(jì)的五個(gè)步驟。
2010-01-08
試驗(yàn)設(shè)計(jì) KPI指標(biāo) 六西格瑪
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夏普與意法半導(dǎo)體合資生產(chǎn)太陽(yáng)能電池
夏普計(jì)劃借此擴(kuò)展清潔能源業(yè)務(wù)，降低生產(chǎn)成本。夏普和意大利公用事業(yè)公司Enel曾在2008年宣布，打算與一家歐洲制造商合作生產(chǎn)薄膜太陽(yáng)能電池，但未指明是哪家公司。
2010-01-07
夏普 意法半導(dǎo)體 合資 太陽(yáng)能電池
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OmniVision Technologies推出14.6百萬(wàn)像素圖像傳感器
領(lǐng)先的高級(jí)數(shù)字成像解決方案開(kāi)發(fā)商O(píng)mniVision Technologies, Inc.今天推出了14.6百萬(wàn)像素圖像傳感器，能夠提供高分辨率的靜止攝影和在每秒60幀完整的1080p高清晰度的動(dòng)態(tài)影像。最新用于數(shù)碼相機(jī)/攝像機(jī)(DSC/DVC)的全新OV14810和用于移動(dòng)應(yīng)用OV14825皆是第一個(gè)傳感器實(shí)現(xiàn)為主流的消費(fèi)電子產(chǎn)品提供最...
2010-01-07
OmniVision 圖像傳感器 OV14810
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電阻市場(chǎng)發(fā)展前景向好 2010年需求強(qiáng)勁
業(yè)內(nèi)廠家認(rèn)為，2010年電阻市場(chǎng)發(fā)展前景向好，需求強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2010年電阻市場(chǎng)空間仍將不斷擴(kuò)大，年增長(zhǎng)速度將保持在20%左右。
2010-01-07
電阻 電子設(shè)備 元器件 3G 高清市場(chǎng)
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PMAS/PCMAS100:Mtm power推出寬輸入范圍的緊湊型電源
初級(jí)開(kāi)關(guān)的PMAS/PCMAS100緊湊型模塊具有通用ac/dc輸入范圍，適合各種需要中功率的電源應(yīng)用。器件提供100W恒定輸出功率，采用24V，36V和48V輸出電壓
2010-01-07
PMAS PCMAS100 Mtm power 電源
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缺少熱分析將使設(shè)計(jì)心血面臨危險(xiǎn)
“簡(jiǎn)單解決方案”是指在設(shè)計(jì)周期中盡早實(shí)施熱分析。多早合適呢？最晚應(yīng)在結(jié)構(gòu)圖設(shè)計(jì)階段后立即就進(jìn)行基本熱分析。工程師需下載擬采用器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)并從熱的角度體驗(yàn)一下未來(lái)將遇到的挑戰(zhàn)。本文主要介紹各種熱設(shè)計(jì)
2010-01-07
熱分析 熱管 散熱片
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第七講 示波器基礎(chǔ)之差分探頭
本文主要講差分測(cè)量的特點(diǎn)、差分探頭的應(yīng)用環(huán)境及解決方案
2010-01-07
示波器 探頭 差分 基礎(chǔ)
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SiB455EDK：Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。
2010-01-06
SiB455EDK Vishay P溝道 第三代 TrenchFET 功率MOSFET
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