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三相IGBT全橋隔離驅(qū)動電源設(shè)計(jì)
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計(jì)了一種隔離驅(qū)動電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結(jié)構(gòu)。
2011-10-11
IGBT 全橋隔離 驅(qū)動電源 隔離驅(qū)動電源 變換器
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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制
隨著現(xiàn)代工藝水平的提高與新技術(shù)的開發(fā)完善，功率VDMOSFET設(shè)計(jì)研制朝著高壓、高頻、大電流方向發(fā)展，成為目前新型電力電子器件研究的重點(diǎn)。本文設(shè)計(jì)了漏源擊穿電壓為500 V，通態(tài)電流為8 A，導(dǎo)通電阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通過工藝仿真軟件TSUPREM-4和器件仿真軟件MEDICI進(jìn)行聯(lián)合優(yōu)化仿...
2011-10-11
VDMOSFET 高壓功率MOS管 MOSFET
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適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路
本文論述一個新穎的簡單的適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路，這個電路只需使用幾個元器件：一個微型線圈、兩個耦合輔助線圈和兩個優(yōu)化的PN二極管。而且，這個電路完全兼容任何一種PWM控制器。
2011-10-11
功率因數(shù)校正 BC2 能量回收
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LED照明迎來行業(yè)大洗牌
在當(dāng)前熒光粉價(jià)格10倍增長、節(jié)能燈成本陡增的關(guān)口，LED燈近期卻因上游芯片降價(jià)而價(jià)格持續(xù)走跌。這將進(jìn)一步撬動LED照明應(yīng)用市場，加速LED照明的示范應(yīng)用和普及，至2015年末我國的LED照明滲透率有望達(dá)到甚至超過20%，LED照明產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂瓉硇袠I(yè)大洗牌。
2011-10-11
LED LED照明 電子信息 LED路燈
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觸摸屏成電子產(chǎn)品主流 上市公司搶蛋糕
與節(jié)節(jié)上升的食品等物價(jià)相比，電子類產(chǎn)品的價(jià)格可謂每況愈下，技術(shù)的持續(xù)改進(jìn)迭加終端款式的推陳出新，使得電子類企業(yè)競爭頗為激烈，為此企業(yè)一方面要不斷推出新品，緊跟行業(yè)潮流，另一方面需降價(jià)搶占更大市場。
2011-10-11
電容式觸摸屏 投射電容 平板電腦 液晶
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光伏市場供過于求 2012依然倍受壓力
受歐債危機(jī)和國內(nèi)市場低迷的影響，國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)被一片緊張氣氛所包圍，光伏產(chǎn)業(yè)鏈從上游晶硅價(jià)格到下游組件價(jià)格呈一路下滑態(tài)勢。據(jù)最新數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，國內(nèi)多晶硅現(xiàn)貨主流報(bào)價(jià)為35-39萬元/噸，比年初68-74萬元/噸的報(bào)價(jià)低出一半，光伏電池組件價(jià)格也在過去三個月內(nèi)下降了30%。
2011-10-11
光伏組件 多晶硅 組件降價(jià) 光伏產(chǎn)業(yè)
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光器件市場無泡沫 40G與WSS 2012將再度走強(qiáng)
2010年，全球光器件和模塊市場銷售收入年增長率超過30%，這樣的增速加大了業(yè)者對潛在市場泡沫的擔(dān)憂。
2011-10-11
光模塊 40G WSS 光器件
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2015年平板貢獻(xiàn)半導(dǎo)體達(dá)200億美元
國際研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)近日舉辦半導(dǎo)體全球巡回論壇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師李輔邦表示，平板電腦未來5年的平均年復(fù)合成長率達(dá)77%，并估計(jì)到2015年，平板電腦貢獻(xiàn)半導(dǎo)體業(yè)的營收將達(dá)200億美元。另外，他指出，ARM是智慧型手機(jī)和平板電腦崛起的最大贏家，估計(jì)未來5年仍能守穩(wěn)80%市占率。
2011-10-11
ARM 平板 平板電腦 半導(dǎo)體業(yè)
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高性能氮化鎵晶體管研制成功
據(jù)悉，法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向?yàn)?00）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）?？茖W(xué)家可據(jù)此研制出兼具CMOS芯片的計(jì)算能力和氮化鎵晶體管大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設(shè)備。
2011-10-11
氮化鎵晶體管 晶體管 電子元件
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